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STL16N65M2

更新時間:2025-06-21 20:09:42

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STL16N65M2 概述

STL16N65M2是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，適用于高頻開關(guān)應用。該器件具有低導通電阻和快速開關(guān)特性，其最大漏極-源極電壓（VDS）為650V，連續(xù)漏極電流（ID）可達16A。它采用了先進的MDmesh M2技術(shù)，優(yōu)化了開關(guān)性能和熱效率，特別適合于硬開關(guān)和軟開關(guān)拓撲結(jié)構(gòu)中的高效電源轉(zhuǎn)換器、適配器、電池充電器以及不間斷電源（UPS）系統(tǒng)等應用場景。此外，該MOSFET還具備高dv/dt抗擾度，有助于提高系統(tǒng)的可靠性和穩(wěn)定性，在工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品中廣泛應用。使用時需注意柵極驅(qū)動電路的設計以確保最佳的開關(guān)性能。

STL16N65M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? M2
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
7.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
395 毫歐 @ 3.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
19.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
718 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
56W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerFlat?（5x6）HV
封裝/外殼
8-PowerVDFN

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廣東微爾科技有限公司

STL16N65M2推薦型號

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SP3232EEA

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