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STL120N8F7

更新時間:2025-06-19 21:54:55

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
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深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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藍界科技（深圳）有限公司
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代理直銷，公司原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

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深圳市行進微電子有限公司
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深圳市硅宇電子有限公司
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助力國營二十余載，一站式BOM配單

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STL120N8F7 概述

STL120N8F7是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的STripFET F7技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度特性。其最大漏源電壓（Vds）為80V，連續(xù)漏極電流（Id）在室溫下可達120A。這款MOSFET適用于高效能的電源管理應(yīng)用，如DC-DC轉(zhuǎn)換器、同步整流、電機驅(qū)動以及電池充電器等場合。在實際應(yīng)用中，STL120N8F7可幫助提升系統(tǒng)效率并減少熱損耗。設(shè)計電路時應(yīng)注意柵極驅(qū)動電壓的選擇，通常推薦使用10V以確保最低的Rds(on)值。此外，在布局PCB時要特別注意減小寄生電感的影響，可通過縮短走線長度和增加走線寬度來實現(xiàn)。對于高頻應(yīng)用，還應(yīng)考慮適當(dāng)?shù)纳岽胧┮跃S持穩(wěn)定工作溫度。

STL120N8F7 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
8,968現(xiàn)貨
系列
STripFET? F7
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
80 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
120A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
4.4 毫歐 @ 11.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
60 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
4570 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
4.8W（Ta），140W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PowerFlat?（5x6）
封裝/外殼
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廣東微爾科技有限公司

STL120N8F7推薦型號

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STL11N3LLH6
STM32F103VCT6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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