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STL11N3LLH6

更新時間:2025-05-27 05:44:46

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STL11N3LLH6外觀圖

STL11N3LLH6

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT

封裝:8-PowerVDFN

STL11N3LLH6 概述

1N3LLH6是由STMicroelectronics生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進(jìn)的HEXFET技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高頻應(yīng)用。其最大漏極-源極電壓為30V，連續(xù)漏極電流可達(dá)11A，非常適合用于同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池管理系統(tǒng)中。在電源管理電路中，STL11N3LLH6可以顯著提高效率并減少熱損耗。由于其低柵極電荷特性，能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān)，有助于降低開關(guān)損耗。在設(shè)計時應(yīng)注意PCB布局以優(yōu)化散熱性能，并確保驅(qū)動電壓足夠以達(dá)到最佳導(dǎo)通狀態(tài)。對于DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用，推薦使用合適的柵極驅(qū)動電路來保證MOSFET的可靠工作。在實際應(yīng)用中，還應(yīng)考慮適當(dāng)?shù)木彌_電路以抑制電壓尖峰。

STL11N3LLH6 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STL11N3LLH6 View All Specifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝
1
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™ DeepGATE™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
11A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7.5 毫歐 @ 5.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1690pF @ 25V
功率 - 最大
50W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝
PowerFlat?（3.3x3.3）
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-11099-6

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STL11N3LLH6
STL100N10F7
STL100N1VH5
STL100N6LF6
STL100NH3LL
STL105NS3LLH7
STL110N10F7
S9012

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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