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STL110N4F7AG

更新時間:2025-05-20 09:32:36

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STL110N4F7AG 概述

STL110N4F7AG是由STMicroelectronics生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的工藝技術(shù)制造，具有低導通電阻和高效率特性，適用于高效能的電源管理應用。其最大漏極-源極電壓為40V，適合于中低壓應用場景。此MOSFET廣泛應用于同步整流、負載開關以及DC-DC轉(zhuǎn)換器等場合。在電池管理系統(tǒng)中，它能夠有效提高能量轉(zhuǎn)換效率，減少熱損耗。設計時需注意柵極驅(qū)動電壓的選擇以確保完全開啟MOSFET，推薦使用10V以上的柵極電壓來獲得最佳性能。在電路設計上，可將其與控制器配合使用實現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換方案。例如，在一個降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器中，用作低邊開關，可以顯著提升整體轉(zhuǎn)換效率。安裝散熱器有助于進一步改善熱性能，延長器件使用壽命。

STL110N4F7AG 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET? F7
包裝
卷帶（TR）
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
108A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
4毫歐 @ 54A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
15 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1150 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
94W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerFlat?（5x6）
封裝/外殼
8-PowerVDFN

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廣東微爾科技有限公司

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