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STL10N65M2

更新時間:2025-07-11 15:29:42

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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STL10N65M2 概述

STL10N65M2是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M2技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷特性。其最大漏源電壓(VDS)為650V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C時為10A。它專為高效能電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計，如交流-直流適配器、太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)等。由于其優(yōu)異的開關(guān)性能和高雪崩耐量，也適用于高頻開關(guān)電源應(yīng)用。在實際使用中，需確保柵極驅(qū)動電路能夠提供足夠的驅(qū)動能力以減小開關(guān)損耗，并注意散熱設(shè)計以保證器件穩(wěn)定工作。

STL10N65M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
4.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
1 歐姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
10.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
315 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
48W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
PowerFlat?（5x6）HV
封裝/外殼
8-PowerVDFN

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廣東微爾科技有限公司

STL10N65M2推薦型號

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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