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STI33N65M2

更新時間:2025-05-25 14:31:17

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STI33N65M2 概述

STI33N65M2是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款高壓功率MOSFET。該器件采用MDmesh M2技術，具有低導通電阻和優(yōu)異的開關性能，適用于高效功率轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓(Vds)為650V，連續(xù)漏極電流(Id)可達33A，適合用于高功率密度設計。典型應用包括不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器、工業(yè)電機驅(qū)動和開關電源(SMPS)等場景。由于其優(yōu)化的開關特性和低柵極電荷(Qg)，能夠顯著降低開關損耗，提升系統(tǒng)整體效率。在實際應用中，建議選擇合適的柵極驅(qū)動電阻來優(yōu)化開關速度，并確保良好的PCB布局以改善熱性能。

STI33N65M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? M2
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
24A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
140 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
41.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1790 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
190W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
I2PAK
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

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廣東微爾科技有限公司

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