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STI23NM60N

更新時間:2025-06-15 04:34:39

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STI23NM60N外觀圖

STI23NM60N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 19A I2PAK

封裝:TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

STI23NM60N 概述

23NM60N是由STMicroelectronics生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用MDmesh V技術，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高效能的電源管理應用。其最大漏源電壓為600V，適合高壓應用環(huán)境，如交流-直流適配器、工業(yè)電源、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）等。在具體應用中，STI23NM60N常用于同步整流電路和高頻DC-DC轉換器。由于其低柵極電荷和低反向傳輸電容，能夠實現(xiàn)快速開關，減少開關損耗，提升整體效率。使用時應注意柵極驅動電路的設計，確保柵極電壓足夠高以完全開啟MOSFET，并且需要考慮散熱設計，避免過熱導致性能下降或損壞。典型電路布局包括將此MOSFET與控制IC配合使用，在開關電源的次級側進行同步整流，以提高轉換效率。

STI23NM60N 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
19A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
60nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2050pF @ 50V
功率 - 最大
150W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應商設備封裝
I2PAK
包裝
管件

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