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STI14NM65N

更新時間:2025-06-28 14:09:13

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深圳市華美銳電子有限公司
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公司現(xiàn)貨，進口原裝熱賣

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原裝現(xiàn)貨上海庫存，歡迎查詢

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STI14NM65N外觀圖

STI14NM65N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK

封裝:TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

STI14NM65N 概述

STI14NM65N是意法半導體(STMicroelectronics)生產的一款高壓功率MOSFET。它采用先進的MDmesh V技術，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻開關電源應用。該器件的最大漏源電壓(Vds)為650V，連續(xù)漏極電流(Id)在25°C時為13A。其柵極電荷較低，有助于降低驅動損耗并提高整體效率。典型應用場景包括不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器、LED照明驅動器以及各種工業(yè)和消費類開關電源設計中作為初級側開關管使用。在實際應用中，建議搭配適當?shù)臇艠O驅動電路以確保可靠開啟和關閉，并注意PCB布局以優(yōu)化散熱性能。

STI14NM65N 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
380 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
45nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1300pF @ 50V
功率 - 最大
125W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應商設備封裝
I2PAK
包裝
管件

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