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STH320N4F6-6

更新時間:2025-05-25 08:07:58

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
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封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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誠信經(jīng)營，提供BOM一站式配單服務(wù)
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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

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STH320N4F6-6 概述

STH320N4F6-6是由STMicroelectronics（意法半導(dǎo)體）生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的SuperMESH技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點，適用于高效電源管理應(yīng)用。其典型應(yīng)用場景包括同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及電池充電器等需要高效能功率控制的場合。在實際應(yīng)用中，建議注意其最大漏源電壓（Vds）為40V，連續(xù)漏極電流（Id）可達(dá)100A。設(shè)計時應(yīng)確保工作條件不超過這些參數(shù)，并且合理選擇柵極驅(qū)動電路以保證可靠開關(guān)。例如，在DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計中，可采用合適的柵極電阻來優(yōu)化開關(guān)時間，減少開關(guān)損耗。此外，由于其低Rds(on)，非常適合用于低壓大電流的應(yīng)用環(huán)境。在PCB布局上，盡量縮短源極到地的走線長度，以降低寄生電感對電路性能的影響。

STH320N4F6-6 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
Automotive, AEC-Q101, DeepGATE?, STripFET? VI
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
200A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
1.3 毫歐 @ 80A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
240 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
13800 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
H2PAK-6
封裝/外殼
TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片）

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廣東微爾科技有限公司

STH320N4F6-6相關(guān)型號

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STH320N4F6-6
STH300NH02L-6
STH310N10F7-2
STH310N10F7-6
STH33N20FI
STH3N150-2
S8550

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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