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STH245N75F3-6

更新時間:2025-07-15 02:21:17

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STH245N75F3-6 概述

STH245N75F3-6是由意法半導體（STMicroelectronics）生產的高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh V技術，具有低導通電阻和低柵極電荷特性，適用于高效能的電源管理和轉換應用。其最大漏源電壓為75V，連續(xù)漏極電流可達245A（在25°C條件下），使其成為工業(yè)級高功率密度設計的理想選擇。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、開關模式電源（SMPS）、電機驅動器以及各種需要高效能量轉換的電力電子設備。由于其低損耗和快速開關性能，能夠顯著提升系統效率并減少散熱需求。在實際應用中，建議關注PCB布局以優(yōu)化熱管理，并確保柵極驅動電路的設計符合推薦參數以避免損壞器件。此外，在高溫環(huán)境下使用時需考慮降額因素。

STH245N75F3-6 規(guī)格參數

現有數量
0現貨
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET? F3
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
停產
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
75 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
180A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
3 毫歐 @ 90A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
87 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
6800 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
H2PAK-6
封裝/外殼
TO-263-7，D2Pak（6 引線 + 接片）

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廣東微爾科技有限公司

STH245N75F3-6推薦型號

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STH2
STH260N6F6-2
STH26N25
STH270N4F3-6
SS28

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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