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STH150N10F7-2

更新時間:2025-06-14 07:02:17

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深圳市萊杰信科技有限公司
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代理分銷現(xiàn)貨庫存，本公司承諾原裝假一賠百

深圳市萊克訊科技有限公司
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原包裝正品現(xiàn)貨庫存-正規(guī)渠道增值稅票

藍界科技（深圳）有限公司
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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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只做自己原裝現(xiàn)貨，10年保證

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務

上海馳循電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨,精專配套,正品BOM表報價

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助力國營二十余載，一站式BOM配單

深圳市科圳威電子有限公司
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深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

深圳市藍圖麥浪電子科技有限公
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深圳市金科創(chuàng)世紀電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨，可開票，提供賬期誠信服務

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長期回收原裝IC

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只做原廠原裝假一罰十可含稅

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昂富（深圳）電子科技有限公司
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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

深圳市福田區(qū)超洋芯電子經(jīng)營部
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原裝現(xiàn)貨，實單支持

深圳市米數(shù)科技有限公司
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只做原裝，價格市場

安徽芯海技術有限公司
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科大訊飛戰(zhàn)略投資企業(yè)，提供一站式配套服務

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STH150N10F7-2 概述

STH150N10F7-2是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件專為高效能應用設計，具有低導通電阻和高開關速度的特點。其最大漏源電壓（Vds）可達100V，在室溫下連續(xù)漏極電流（Id）能力為150A，適用于需要大電流處理能力的應用場景。典型應用場景包括電源管理、電機驅(qū)動、電動工具以及不間斷電源系統(tǒng)等。在電路設計中，建議充分考慮散熱設計以確保器件的穩(wěn)定工作。使用時應注意柵極驅(qū)動電路的設計，以實現(xiàn)最佳開關性能并減少功耗。此型號適合用于要求高效率和緊湊設計的場合。

STH150N10F7-2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
DeepGATE?, STripFET? VII
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
110A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
3.9 毫歐 @ 55A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
117 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
8115 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
H2Pak-2
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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STH15NA50FI
S210

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