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STGY50NB60HD

更新時間:2025-07-11 05:37:53

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STGY50NB60HD 概述

STGY50NB60HD是由意法半導體生產的一款高壓N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的制造工藝，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達50A，非常適合于要求高效率和緊湊設計的電源轉換器、電機驅動和其他工業(yè)應用中。在實際應用中，它常用于不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器以及各類開關模式電源（SMPS）。由于其優(yōu)異的熱性能，可以在較寬的工作溫度范圍內穩(wěn)定運行。使用時應注意正確選擇柵極驅動電阻以優(yōu)化開關速度，并確保散熱設計充分考慮功率損耗，防止過熱損壞。電路設計時應遵循制造商推薦的PCB布局指南，以減小寄生電感和噪聲干擾。

STGY50NB60HD 規(guī)格參數

制造商
STMicroelectronics
產品種類
IGBT 晶體管
配置
Single
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
600 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發(fā)射極最大電壓
+/- 20 V
在25 C的連續(xù)集電極電流
100 A
柵極—射極漏泄電流
100 nA
功率耗散
250 W
最大工作溫度
+ 150 C
封裝 / 箱體
TO-247-MAX-3
封裝
Tube
集電極最大連續(xù)電流 Ic
100 A
最小工作溫度
- 65 C
安裝風格
Through Hole
工廠包裝數量
30

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