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STGWA15M120DF3

更新時間:2025-08-17 14:49:10

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原裝原盤原盒可追溯

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STGWA15M120DF3 概述

STGWA15M120DF3是由意法半導體生產(chǎn)的碳化硅（SiC）功率MOSFET。該器件專為高壓應用設計，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓（Vds）為1200V，適合用于高效電源轉換系統(tǒng)中如光伏逆變器、不間斷電源（UPS）、工業(yè)電機驅動及電動汽車充電設備等。由于采用先進的SiC技術，相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，它能夠在更高溫度下工作，并且損耗更低，有助于提高整體系統(tǒng)效率。在實際應用中，需注意其柵極驅動電壓范圍以確?？煽块_啟與關閉，并合理布局PCB以減小寄生電感影響高速開關性能。

STGWA15M120DF3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
-
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
30 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
60 A
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）
2.3V @ 15V，15A
功率 - 最大值
259 W
開關能量
550μJ（開），850μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
53 nC
25°C 時 Td（開/關）值
26ns/122ns
測試條件
600V，15A，22 歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)
270 ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
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供應商器件封裝
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廣東微爾科技有限公司

STGWA15M120DF3推薦型號

>> 更多STGWA15M120DF3相關熱門型號

STGW15H120DF2
STGW19NC60H
STGW19NC60HD
STGW19NC60KD
STGW20N60V
STGW20NB60HD
STGW20NC60V
SP232EEN

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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