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STGW40S120DF3

更新時間:2025-06-06 22:36:02

供應商
產品型號
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封裝/批號
說明
詢價

深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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只做原裝，價格市場

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北京睿宸齊芯科技有限公司
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STGW40S120DF3 概述

40S120DF3是意法半導體(STMicroelectronics)生產的高壓功率MOSFET。該器件采用先進的DMOS技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓(VDS)為1200V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C時可達40A，適用于高可靠性工業(yè)及電源應用。典型應用場景包括不間斷電源(UPS)、電機驅動、開關模式電源(SMPS)以及各種需要高壓大電流處理能力的電力電子設備。由于其優(yōu)異的熱性能和電氣特性，STGW40S120DF3能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，并有助于提高系統整體效率。封裝形式為TO-247，便于散熱設計和安裝。使用時需注意適當的柵極驅動電路設計以確?？煽块_關操作。

STGW40S120DF3 規(guī)格參數

現有數量
0現貨
系列
-
包裝
管件
產品狀態(tài)
停產
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
80 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
160 A
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）
2.15V @ 15V，40A
功率 - 最大值
468 W
開關能量
1.43mJ（開），3.83mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
129 nC
25°C 時 Td（開/關）值
35ns/148ns
測試條件
600V，40A，15 歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)
355 ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應商器件封裝
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廣東微爾科技有限公司

STGW40S120DF3推薦型號

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STGW19NC60H
STGW19NC60HD
STGW19NC60KD
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STGW20NC60V
SY8120B1ABC

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