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STGW30M65DF2

更新時(shí)間:2025-05-16 02:53:31

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
服務(wù)標(biāo)識(shí)
數(shù)量
廠商
封裝/批號(hào)
說明
詢價(jià)

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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨，當(dāng)天可交貨，原型號(hào)開票

深圳市百諾芯科技有限公司
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深圳市鵬翔新科技有限公司
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深圳市佳芯恒業(yè)科技有限公司
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深圳市芊誠科技電子有限公司
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STGW30M65DF2 概述

STGW30M65DF2是由意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的功率MOSFET，適用于高效率開關(guān)電源和其他高效能電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的MDmesh M6技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，有助于減少功率損耗并提高系統(tǒng)整體效率。其最大漏極電流可達(dá)30A，耐壓值為650V，非常適合于工業(yè)級(jí)應(yīng)用。典型應(yīng)用場景包括不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器、焊接設(shè)備以及各種需要高壓高效能開關(guān)的場合。在電路設(shè)計(jì)中，建議使用適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動(dòng)電路來確保MOSFET能夠快速且可靠地切換狀態(tài)，避免因驅(qū)動(dòng)不足導(dǎo)致的發(fā)熱問題。同時(shí)，合理布局PCB以優(yōu)化熱管理也非常重要，可考慮添加散熱片或冷卻裝置來進(jìn)一步提升性能和可靠性。

STGW30M65DF2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
530現(xiàn)貨
系列
-
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
60 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
120 A
不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，30A
功率 - 最大值
258 W
開關(guān)能量
300μJ（開），960μJ（關(guān)）
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷
80 nC
25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值
31.6ns/115ns
測試條件
400V，30A，10 歐姆，15V
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)
140 ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
供應(yīng)商器件封裝
TO-247-3

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廣東微爾科技有限公司

STGW30M65DF2推薦型號(hào)

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STGW15H120DF2
STGW19NC60H
STGW19NC60HD
STGW19NC60KD
STGW20N60V
STGW20NB60HD
STGW20NC60V
STM32F103C8T6

IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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