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STGW25M120DF3

更新時間:2025-05-23 05:49:17

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STGW25M120DF3 概述

STGW25M120DF3是由意法半導體生產(chǎn)的功率MOSFET，專為高壓應用設計。它具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高效能的電源轉換器、電機驅動和不間斷電源系統(tǒng)。這款MOSFET的最大漏源電壓為1200V，能夠處理高達25A的連續(xù)漏極電流，在高溫環(huán)境下依然穩(wěn)定工作。其優(yōu)化的開關性能減少了開關損耗，有助于提升整體系統(tǒng)效率。在應用時，推薦使用適當?shù)纳岽胧┮源_保最佳性能。電路設計中需注意柵極驅動電路的設計，保證足夠的驅動電壓和最小的寄生電感，避免不必要的開關損耗和電磁干擾。

STGW25M120DF3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
371現(xiàn)貨
系列
-
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
50 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
100 A
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）
2.3V @ 15V，25A
功率 - 最大值
375 W
開關能量
850μJ（開），1.3mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
85 nC
25°C 時 Td（開/關）值
28ns/150ns
測試條件
600V，25A，15歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)
265 ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
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供應商器件封裝
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廣東微爾科技有限公司

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STGW20NC60V
STM8S105K4T6C

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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