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STGW15H120DF2

更新時間:2025-06-07 17:50:23

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STGW15H120DF2 概述

STGW15H120DF2是由意法半導體生產(chǎn)的一款高性能IGBT器件。該器件專為高頻開關(guān)應用設計，具備低導通損耗和低開關(guān)損耗特性。其最大集電極-發(fā)射極電壓為1200V，適用于工業(yè)電機驅(qū)動、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等需要高效能量轉(zhuǎn)換的場合。在電機驅(qū)動應用中，該IGBT可有效提高系統(tǒng)效率并減少熱耗散。對于太陽能逆變器，它能實現(xiàn)高效的直流到交流電轉(zhuǎn)換。使用時應注意合理選擇柵極電阻以優(yōu)化開關(guān)性能，并確保散熱設計足夠應對器件工作時產(chǎn)生的熱量。在電路設計上，建議采用推薦的驅(qū)動電壓范圍，通常為+15V/-10V或+15V/0V，具體取決于實際需求與配置。此外，還需注意防止過壓、過流情況的發(fā)生，以保障器件長期穩(wěn)定運行。

STGW15H120DF2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
-
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
1200 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
30 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
60 A
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）
2.6V @ 15V，15A
功率 - 最大值
259 W
開關(guān)能量
380μJ（開），370μJ（關(guān)）
輸入類型
標準
柵極電荷
67 nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值
23ns/111ns
測試條件
600V，15A，10 歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)
231 ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
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供應商器件封裝
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廣東微爾科技有限公司

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SP3232EEN

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