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STGP3NB60FD

更新時間:2025-06-21 15:03:20

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STMicroelectronics IGBT - 單路

IGBT N-CHANNEL 600V 3A TO-220

封裝:TO-220-3

STGP3NB60FD 概述

STGP3NB60FD是意法半導體(STMicroelectronics)生產的一款N溝道功率MOSFET，采用先進的MDmesh V技術制造。該器件具有低導通電阻和低柵極電荷特性，適用于高效功率轉換應用。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達3A，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性能。此MOSFET常用于開關電源、適配器、LED驅動器以及工業(yè)控制等需要高效能量管理的場合。在實際應用中，建議將其工作溫度控制在-55至150攝氏度范圍內以確保最佳性能和可靠性。設計時應注意合理選擇柵極驅動電阻值，避免過快或過慢的開關速度導致不必要的損耗或電磁干擾問題。對于高頻率應用，需特別關注PCB布局以減少寄生參數(shù)影響。

STGP3NB60FD 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
IGBT - 單路
系列
PowerMESH™
IGBT 類型
-
電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
2.4V @ 15V，3A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
6A
功率 - 最大
68W
輸入類型
標準型
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
TO-220AB
包裝
管件
其它名稱
497-2652-5

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