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STGP20M65DF2

更新時間:2025-06-17 09:49:54

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
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廠商
封裝/批號
說明
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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深圳市米數(shù)科技有限公司
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深圳市萬芯時代貿(mào)易有限公司
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回收此型號STGP20M65DF2

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深圳市華盛錦科技有限公司
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STGP20M65DF2 概述

STGP20M65DF2是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，采用先進工藝制造。它具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于高效能電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件的最大漏源電壓為650V，適合在高壓應(yīng)用環(huán)境中使用。其典型應(yīng)用場景包括不間斷電源(UPS)、太陽能逆變器、工業(yè)驅(qū)動器等電力電子系統(tǒng)。在實際應(yīng)用中，推薦將此MOSFET用于需要高效率和可靠性的場合。例如，在設(shè)計一個1kW的DC-DC轉(zhuǎn)換器時，可以利用其低Rds(on)值減少導(dǎo)通損耗，提高整體轉(zhuǎn)換效率。需要注意的是，由于其較高的擊穿電壓，在PCB布局時應(yīng)確保足夠的爬電距離以避免高壓擊穿風險。此外，柵極驅(qū)動電路的設(shè)計要保證信號質(zhì)量，防止誤觸發(fā)。

STGP20M65DF2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
M
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
40 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
80 A
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，20A
功率 - 最大值
166 W
開關(guān)能量
140μJ（開），560μJ（關(guān)）
輸入類型
標準
柵極電荷
63 nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值
26ns/108ns
測試條件
400V，20A，12 歐姆，15V
反向恢復(fù)時間 (trr)
166 ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應(yīng)商器件封裝
TO-220

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廣東微爾科技有限公司

STGP20M65DF2推薦型號

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STGP100N30
STGP10N60
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STGP14NC60KD
STGP15H60DF
STM32F103VCT6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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