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STGF10M65DF2

更新時間:2025-06-04 05:40:27

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STGF10M65DF2 概述

10M65DF2是意法半導體（STMicroelectronics）生產(chǎn)的一款碳化硅（SiC）功率MOSFET。該器件專為高壓應用設計，具有650V的額定電壓和10mΩ的最大導通電阻。其低導通損耗和開關損耗使其非常適合高效能電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。這款MOSFET適用于各種高性能應用，包括太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、電動汽車充電器及工業(yè)電機驅(qū)動等。在這些應用場景中，STGF10M65DF2能夠顯著提高系統(tǒng)效率并減少散熱需求。使用時應注意遵循制造商提供的最大工作電壓、電流和溫度限制。為了確保最佳性能，建議采用適當?shù)臇艠O驅(qū)動電路設計，并考慮PCB布局中的熱管理和寄生電感影響。例如，在高頻開關應用中，推薦使用低電感封裝和優(yōu)化的PCB走線來最小化電磁干擾（EMI）。

STGF10M65DF2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
1,933現(xiàn)貨
系列
M
包裝
管件
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
20 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
40 A
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，10A
功率 - 最大值
30 W
開關能量
120μJ（開），270μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
28 nC
25°C 時 Td（開/關）值
19ns/91ns
測試條件
400V，10A，22 歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)
96 ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
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供應商器件封裝
TO-220FP

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廣東微爾科技有限公司

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STGF19NC60HD
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