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STGD7NC60H

更新時間:2025-05-20 09:59:15

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STGD7NC60H 概述

STGD7NC60H是由意法半導體生產(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件設(shè)計用于高效功率轉(zhuǎn)換應用，具有低導通電阻和快速開關(guān)特性。其最大漏源電壓為600V，適合于高壓應用環(huán)境。典型應用場景包括開關(guān)電源、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、電機驅(qū)動器以及照明控制系統(tǒng)中的高頻開關(guān)操作。在實際應用中，此MOSFET可有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。由于其高耐壓能力和良好的熱穩(wěn)定性，在工業(yè)級設(shè)備中表現(xiàn)出色。使用時應注意正確選擇柵極電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，并確保散熱設(shè)計合理，避免過熱損壞。在電路設(shè)計中，建議結(jié)合具體需求調(diào)整柵極驅(qū)動電壓，以實現(xiàn)最佳性能表現(xiàn)。

STGD7NC60H 規(guī)格參數(shù)

安裝類型
表面貼裝
寬度
6.2mm
封裝類型
DPAK
尺寸
6.6 x 6.2 x 2.4mm
引腳數(shù)目
3
最低工作溫度
-55 °C
最大柵極發(fā)射極電壓
±20V
最大連續(xù)集電極電流
25 A
最大集電極-發(fā)射極電壓
600 V
最高工作溫度
+150 °C
通道類型
N
配置
單
長度
6.6mm
高度
2.4mm

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STGD7NC60HT4
STGD10NC60HD
STGD10NC60KDT4
STGD18N40LZ
STGD18N40LZT4
STGD20N40LZ
STM32F103ZET6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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