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STGB15M65DF2

更新時間:2025-06-17 04:54:16

供應商
產品型號
服務標識
數量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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一級代理商可提供技術方案支持

北京天陽誠業(yè)科貿有限公司
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只做全新原裝，特價

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原裝現(xiàn)貨上海庫存，歡迎咨詢

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只做原裝，提供一站式BOM配套服務

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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

安徽芯海技術有限公司
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柒號芯城電子商務(深圳)有限公
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深圳市福田區(qū)晶康業(yè)電子商行
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3830
ST(意法半導體)
D2PAK3/20+
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STGB15M65DF2 概述

STGB15M65DF2是意法半導體(STMicroelectronics)生產的一款650V碳化硅(SiC) MOSFET，采用DPAK封裝。該器件具有低導通電阻和高開關速度特性，在功率轉換應用中能夠顯著降低損耗并提高效率。其最大連續(xù)漏極電流為15A，適用于高頻開關電源、太陽能逆變器、不間斷電源(UPS)以及電動汽車充電設備等場景。由于SiC材料的優(yōu)異性能，STGB15M65DF2能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，并且具備更強的抗輻射能力。在實際應用中，建議根據具體電路需求選擇合適的柵極驅動電壓和散熱方案以確保最佳性能。

STGB15M65DF2 規(guī)格參數

現(xiàn)有數量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
30 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
60 A
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，15A
功率 - 最大值
136 W
開關能量
90μJ（開），450μJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
45 nC
25°C 時 Td（開/關）值
24ns/93ns
測試條件
400V，15A，12 歐姆，15V
反向恢復時間 (trr)
142 ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應商器件封裝
D2PAK（TO-263）

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廣東微爾科技有限公司

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STGB10NB40LZT4
STGB10NB60ST4
SMCJ33CA

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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