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STGB10M65DF2

更新時間:2025-06-22 12:31:22

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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深圳市得捷芯城科技有限公司
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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

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深圳市波光電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨，歡迎咨詢

上海熠富電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨上海庫存，歡迎咨詢

藍(lán)界科技（深圳）有限公司
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深圳原裝現(xiàn)貨，可看貨可提供拍照

深圳市藍(lán)圖麥浪電子科技有限公
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無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
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深圳市粵東誠信電子有限公司
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只做原裝，BOM表配單

深圳市亨運電子有限公司
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深圳市毅創(chuàng)騰電子科技有限公司
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原裝原盤原盒可追溯

深圳市華鴻芯科技有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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深圳市米數(shù)科技有限公司
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深圳市創(chuàng)晶瑞電子科技有限公司
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STGB10M65DF2 概述

STGB10M65DF2是意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的一款碳化硅（SiC）功率MOSFET。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度特性，適用于高頻開關(guān)電源、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等高效能電力電子應(yīng)用。其最大漏源電壓（VDS）為650V，連續(xù)漏極電流（ID）在25°C時為10A。由于采用了先進的碳化硅材料，相比傳統(tǒng)硅基MOSFET，在高溫環(huán)境下仍能保持良好的性能。此外，該MOSFET還具備低柵極電荷量，有助于減少開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率。在實際應(yīng)用中，建議仔細(xì)考慮PCB布局以優(yōu)化散熱，并確保驅(qū)動電路能夠提供足夠且穩(wěn)定的柵極驅(qū)動信號。

STGB10M65DF2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
1,000現(xiàn)貨
系列
-
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
IGBT 類型
溝槽型場截止
電壓 - 集射極擊穿（最大值）
650 V
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）
20 A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)
40 A
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，10A
功率 - 最大值
115 W
開關(guān)能量
120μJ（開），270μJ（關(guān)）
輸入類型
標(biāo)準(zhǔn)
柵極電荷
28 nC
25°C 時 Td（開/關(guān)）值
19ns/91ns
測試條件
400V，10A，22 歐姆，15V
反向恢復(fù)時間 (trr)
96 ns
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝
D2PAK（TO-263）

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廣東微爾科技有限公司

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STGB10NB37LZT4G
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STGB10NB40LZT4
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SB1045L

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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