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STF18N65M5

更新時間:2025-07-31 01:57:04

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STF18N65M5外觀圖

STF18N65M5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 650V 15A TO-220FP

封裝:TO-220-3 整包

STF18N65M5 概述

STF18N65M5是意法半導體生產(chǎn)的一款高壓功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M5技術，具有低導通電阻和低柵極電荷特性，適用于高效功率轉換應用。其最大漏源電壓可達650V，連續(xù)漏極電流為18A，非常適合于開關電源、照明系統(tǒng)、適配器和其他高能效要求的電力電子設備中使用。在實際應用中，這款MOSFET通常用于高頻開關電路中，可以有效減少開關損耗并提高整體效率。設計時應注意其柵極驅動電壓范圍，推薦使用標準的10-15V驅動電壓以確保最佳性能。此外，在布局PCB時應盡量縮短源極引腳與地之間的距離，并合理布置去耦電容位置，以降低寄生電感對電路的影響。對于需要更高可靠性的場合，建議添加適當?shù)纳岽胧?

STF18N65M5 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
Mdmesh™ V
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
15A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
220 毫歐 @ 7.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
31nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1240pF @ 100V
功率 - 最大
25W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件
其它名稱
497-13100-5

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