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STF10NM65N

更新時間:2025-05-17 05:27:48

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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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上海馳循電子科技有限公司
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安富微（深圳）商貿有限公司
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深圳市藍圖麥浪電子科技有限公
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100000
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STF10NM65N外觀圖

STF10NM65N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 650V 9A TO-220FP

封裝:TO-220-3 整包

STF10NM65N 概述

STF10NM65N是由意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh技術，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高頻開關電源應用。其最大漏源電壓為650V，連續(xù)漏極電流可達10A，適合于需要高壓處理能力的電路設計。這款MOSFET廣泛應用于工業(yè)電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動以及照明系統等領域。在具體應用中，建議確保柵極驅動電路能夠提供足夠的電壓以保證MOSFET完全開啟，通常柵極電壓應在10V以上。為了減少開關損耗，在高速開關應用中應特別注意PCB布局，盡量減小寄生電感的影響。此外，合理選擇并聯電容可以進一步優(yōu)化EMI性能，提高系統的整體穩(wěn)定性。

STF10NM65N 規(guī)格參數

其它有關文件
STF10NM65N View All Specifications
標準包裝
50
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
480 毫歐 @ 4.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
25nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
850pF @ 50V
功率 - 最大
25W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

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SD103AW

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