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STD9N60M2

更新時間:2025-05-25 22:37:09

供應(yīng)商
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STD9N60M2 概述

STD9N60M2是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款高壓N溝道MOSFET。該器件專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計，最大漏源電壓(Vds)可達600V，連續(xù)漏極電流(Id)為9A。其低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻特性有助于提高開關(guān)效率并減少功耗。內(nèi)置的快速恢復(fù)體二極管使得它在反向恢復(fù)過程中表現(xiàn)優(yōu)異。STD9N60M2適用于開關(guān)電源、照明控制、電機驅(qū)動以及各種功率轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中。采用DPAK封裝，有利于緊湊型電路設(shè)計，并提供良好的散熱性能。在實際應(yīng)用中需注意柵極電壓不要超過額定值以確保可靠工作。

STD9N60M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? II Plus
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
5.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
780 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
320 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
60W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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