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STD7N65M6

更新時(shí)間:2025-08-08 10:16:12

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號(hào)
服務(wù)標(biāo)識(shí)
數(shù)量
廠商
封裝/批號(hào)
說明
詢價(jià)

深圳市誠(chéng)研翔科技有限公司
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只做原裝正品，提供一站式配套服務(wù)
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深圳市創(chuàng)勝達(dá)電子有限公司
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深圳市富萊微科技有限公司
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深圳市捷富芯科技有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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深圳市南科功率半導(dǎo)體有限公司
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深圳市粵東誠(chéng)信電子有限公司
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深圳市福田區(qū)超洋芯電子經(jīng)營(yíng)部
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北京睿宸齊芯科技有限公司
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STD7N65M6 概述

STD7N65M6是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，適用于高頻開關(guān)應(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷，可實(shí)現(xiàn)高效能的電源管理。其最大漏源電壓(VDS)為650V，適合在高壓應(yīng)用中使用。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括開關(guān)電源、照明控制、消費(fèi)類電子設(shè)備中的電源轉(zhuǎn)換器以及工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。在電路設(shè)計(jì)中，建議使用適當(dāng)?shù)臇艠O驅(qū)動(dòng)電阻來優(yōu)化開關(guān)速度并減少電磁干擾(EMI)。由于其高耐壓特性，在實(shí)際應(yīng)用中需注意確保電路布局合理，避免過高的瞬態(tài)電壓損壞器件。此外，在PCB布局時(shí)應(yīng)盡量減小寄生電感，以充分發(fā)揮

STD7N65M6 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? M6
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
5A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
990毫歐 @ 2.5A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
3.75V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）
6.9 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
220 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
60W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
D-PAK（TO-252）
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

STD7N65M6推薦型號(hào)

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STD70N02
STD70N02L
STD70N03
STD70N10F4
STD70N2LH5
STD70N6F3
STD70NH02
SSM3K35MFV

IC型號(hào)索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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