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STD7N60DM2

更新時間:2025-05-29 11:04:01

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STD7N60DM2 概述

STD7N60DM2是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，采用DM2封裝形式。該器件設(shè)計用于高頻開關(guān)應(yīng)用，具備低導通電阻和低柵極電荷特性，有助于降低開關(guān)損耗并提高系統(tǒng)效率。其最大漏源電壓(VDS)為600V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C時為7A，適用于開關(guān)電源(SMPS)、功率因數(shù)校正(PFC)電路、照明控制以及電機驅(qū)動等應(yīng)用場景。由于其高耐壓和良好的開關(guān)性能，非常適合需要高效能和緊湊設(shè)計的電力電子設(shè)備使用。在實際應(yīng)用中，應(yīng)注意合理選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，并確保散熱設(shè)計滿足要求以保證器件長期可靠工作。

STD7N60DM2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? DM2
包裝
卷帶（TR）
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
6A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
900 毫歐 @ 3A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.75V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
7.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
324 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
60W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
D-PAK（TO-252）
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

STD7N60DM2推薦型號

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STD70N02
STD70N02L
STD70N03
STD70N10F4
STD70N2LH5
STD70N6F3
STD70NH02
SMAJ5.0A

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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