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STD6NF10T4

更新時間:2025-06-12 16:58:48

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市永貝爾半導體有限公司
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只做原裝更多數(shù)量在途訂單

深圳市美格納電子有限公司
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深圳市偉科芯電子科技有限公司
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云漢時代半導體(深圳）有限公
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5000
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原裝現(xiàn)貨

深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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300000
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深圳市安富世紀電子有限公司
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STD6NF10T4外觀圖

STD6NF10T4

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 100V 6A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

STD6NF10T4 概述

STD6NF10T4是意法半導體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用DPAK封裝，具有低導通電阻特性，在柵源電壓為10V時，最大導通電阻僅為0.27Ω。其漏源擊穿電壓為100V，適用于各種電源管理應用。在實際應用中，STD6NF10T4常用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負載開關等場景。例如，在一個簡單的降壓轉(zhuǎn)換器電路設計中，它可以作為主開關管使用。需要注意的是，在進行PCB布局時，應盡量減小源極與柵極之間的引線電感，以防止開關過程中產(chǎn)生振蕩現(xiàn)象。此外，為了確?？煽繉?，建議柵極驅(qū)動電壓至少達到10V。如果驅(qū)動電壓不足，可能會導致MOSFET工作在線性區(qū)，增加功耗并影響系統(tǒng)效率。

STD6NF10T4 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
STD6NF10 View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
100V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
6A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
250 毫歐 @ 3A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
14nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
280pF @ 25V
功率 - 最大
30W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-7974-6

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STD60N55F3
STD60NF
SK36

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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