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STD25NF20

更新時間:2025-06-14 02:10:57

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STD25NF20 概述

STD25NF20是意法半導體(STMicroelectronics)生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和高電流處理能力的特點。其最大漏源電壓(Vds)為200V，在室溫下連續(xù)漏極電流(Id)可達25A。此款MOSFET適用于多種電源管理應用，如開關電源、電機驅動、不間斷電源系統等需要高效電能轉換的場合。在電路設計中，可以作為高速開關使用，以提高系統的整體效率并減少熱損耗。使用時應注意遵循正確的散熱設計，確保工作溫度處于安全范圍內。此外，由于其較高的擊穿電壓特性，適合于那些對耐壓性能要求嚴格的工業(yè)級應用場景。在實際電路布局時，需保證柵極驅動電路穩(wěn)定可靠，避免因柵極電壓波動導致不必要的功耗增加或器件損壞。

STD25NF20 規(guī)格參數

現有數量
0現貨查看交期
系列
Automotive, AEC-Q101, STripFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
200 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
18A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
125 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
39 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
940 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
DPAK
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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