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STD150N3LLH6

更新時間:2025-06-13 03:14:08

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STD150N3LLH6外觀圖

STD150N3LLH6

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 30V 80A DPAK

封裝:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

STD150N3LLH6 概述

STD150N3LLH6是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的制造工藝，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為30V，適用于高效直流-直流轉換器、負載點調節(jié)器以及電池供電設備等應用場合。在電源管理電路中，能夠有效降低能量損耗并提高系統(tǒng)效率。使用時需注意柵極驅動電壓的選擇以確保完全開啟MOSFET，同時合理設計散熱措施避免過熱損壞。在PCB布局上應盡量縮短源極到驅動回路的路徑以減少寄生電感影響。

STD150N3LLH6 規(guī)格參數(shù)

其它有關文件
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標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
STripFET™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
80A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
2.8 毫歐 @ 40A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
29nC @ 4.5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3700pF @ 25V
功率 - 最大
110W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應商設備封裝
D-Pak
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-8889-6

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