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STB80N20M5

更新時間:2025-07-03 13:51:50

供應商
產品型號
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廠商
封裝/批號
說明
詢價

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原裝現(xiàn)貨，當天可交貨，原型號開票

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原裝正品熱賣，價格優(yōu)勢

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只做原裝,專注海外現(xiàn)貨訂購20年

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深圳市芯齊壹科技有限公司展會宣傳
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深圳市芯國創(chuàng)科技有限公司
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只做原裝，支持賬期，提供一站式配單服務

上海馳循電子科技有限公司
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只做原裝，現(xiàn)貨庫存

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深圳市粵東誠信電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨上海庫存，歡迎咨詢

深圳市吉翰電子有限公司
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STB80N20M5外觀圖

STB80N20M5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 200V 61A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STB80N20M5 概述

STB80N20M5是意法半導體(STMicroelectronics)生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh M5技術，具有低導通電阻和優(yōu)異的開關性能。其最大漏源電壓(Vds)為200V，連續(xù)漏極電流(Id)可達80A，適用于高效電源轉換應用。典型應用場景包括開關電源、電機驅動、不間斷電源(UPS)以及工業(yè)自動化設備中的高頻開關電路。在設計中使用時，建議關注柵極驅動電路的設計以確保快速且可靠的開關操作。由于其低Rds(on)，能夠有效降低導通損耗，提高系統(tǒng)整體效率。在PCB布局時應盡量減小源極電感，優(yōu)化散熱設計，確保器件穩(wěn)定運行。

STB80N20M5 規(guī)格參數

其它有關文件
STB80N20M5 View All Specifications
產品培訓模塊
5th Generation High Voltage Mosfet Technology
標準包裝
1
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
61A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
23 毫歐 @ 30.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
104nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
4329pF @ 50V
功率 - 最大
190W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-10705-6

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STM32F103R8T6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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