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STB38N65M5

更新時間:2025-05-20 03:36:00

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
STB38N65M5
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誠信經(jīng)營，提供BOM一站式配單服務(wù)
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深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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深圳市捷立輝科技有限公司
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深圳市誠研翔科技有限公司
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深圳市杰興偉業(yè)電子有限公司
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深圳市福田區(qū)超洋芯電子經(jīng)營部
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深圳市金華微盛電子有限公司
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ST原裝現(xiàn)貨可原廠訂貨樣品免費送

深圳市優(yōu)尚半導(dǎo)體科技有限公司
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深圳市萬芯時代貿(mào)易有限公司
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回收此型號STB38N65M5

北京睿宸齊芯科技有限公司
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深圳市特萊科技有限公司
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STB38N65M5外觀圖

STB38N65M5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STB38N65M5 概述

STB38N65M5是由意法半導(dǎo)體生產(chǎn)的高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用了先進(jìn)的MDmesh M5技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)異的開關(guān)性能。其最大漏極-源極電壓為650V，連續(xù)漏極電流可達(dá)38A，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換器、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、太陽能逆變器等應(yīng)用場合。在具體應(yīng)用中，STB38N65M5常用于PFC（功率因數(shù)校正）電路以及高壓DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計中。使用時應(yīng)注意合理選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)速度并減少EMI干擾。建議在柵極串聯(lián)一個10歐姆左右的小電阻，并確保驅(qū)動電壓穩(wěn)定在12V到15V之間，以保證MOSFET可靠工作。同時，在PCB布局上要特別注意減小寄生電感的影響，提高整體電路的穩(wěn)定性。

STB38N65M5 規(guī)格參數(shù)

標(biāo)準(zhǔn)包裝
1
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
Mdmesh™ V
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標(biāo)準(zhǔn)型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
30A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
95 毫歐 @ 15A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
71nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
3000pF @ 100V
功率 - 最大
190W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D²PAK
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-13086-6

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STB38N65M5
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STB30NF20
STB30NM60N
STB32N65M5
SI2301

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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