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STB36NM60ND

更新時間:2025-07-28 15:15:04

供應商
產品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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優(yōu)勢產品大量庫存原裝現(xiàn)貨

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原廠原裝，假一罰萬，合作共贏

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深圳市正納電子有限公司
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原裝現(xiàn)貨.更多數(shù)量咨詢樣品支持，元件優(yōu)質供應商

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深圳市華芯源電子有限公司
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99649
ST/意法
TO263/22+
22+

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DS75176BTMX PCF8574P STM32F100VCT6B MP1497DJ-LF-Z ST485ABDR EV1527 LM2931M-5.0 MT46V32M16P-6T:F

STB36NM60ND 概述

STB36NM60ND是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET，采用TO-220封裝。該器件專為高效率和高性能設計，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓為600V，適合在高壓應用中使用。典型應用場景包括開關電源、電機驅動、不間斷電源（UPS）及照明系統(tǒng)中的電子鎮(zhèn)流器等。在電路設計中，需注意柵極驅動電壓的選擇以確?？煽块_啟與關閉，通常建議驅動電壓范圍為10V到15V之間。對于高頻應用，應優(yōu)化柵極電阻值以減少開關損耗并抑制電磁干擾。設計時還應注意散熱管理，確保器件在額定功率下工作時溫度處于安全范圍內。

STB36NM60ND 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
Automotive, AEC-Q101, FDmesh? II
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
29A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
110 毫歐 @ 14.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
80.4 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
2785 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
190W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK（TO-263）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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廣東微爾科技有限公司

STB36NM60ND相關型號

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STB36NM60ND
STB30NE06LT4
STB30NF10
STB30NF10T4
STB30NF20
STB30NM60N
STB32N65M5
SN74HC164N

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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