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STB35NF10

更新時間:2025-06-14 11:25:36

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STB35NF10 概述

STB35NF10是意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET。它采用D2PAK封裝，具有低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高效能的電源管理應用。其典型應用場景包括直流-直流轉換器、不間斷電源系統(tǒng)以及電機驅動控制。在這些場景中，該MOSFET能夠有效地提高能量轉換效率并減少熱量產生。使用時需注意保證柵極驅動電壓足夠以實現完全開啟，同時要確保散熱設計合理，避免因過熱導致性能下降或損壞。對于需要大電流處理能力且空間受限的設計，此款MOSFET是一個理想的選擇。在電路設計中，可以參考制造商提供的推薦電路布局來優(yōu)化性能。

STB35NF10 規(guī)格參數

典型關斷延遲時間
60 ns
典型接通延遲時間
17 ns
典型柵極電荷@Vgs
55 nC V @ 10
典型輸入電容值@Vds
1550 pF V @ 25
安裝類型
表面貼裝
寬度
9.35mm
封裝類型
D2PAK
尺寸
10.4 x 9.35 x 4.6mm
引腳數目
3
最低工作溫度
-55 °C
最大功率耗散
115000 mW
最大柵源電壓
±20 V
最大漏源電壓
100 V
最大漏源電阻值
0.035
最大連續(xù)漏極電流
40 A
最高工作溫度
+175 °C
每片芯片元件數目
1
類別
功率 MOSFET
通道模式
增強
通道類型
N
配置
單
長度
10.4mm
高度
4.6mm

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