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STB33N65M2

更新時(shí)間:2025-06-11 05:41:42

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價(jià)

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市坤融電子科技有限公司
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深圳市威爾健半導(dǎo)體有限公司
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深圳市華美銳電子有限公司
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深圳市安富世紀(jì)電子有限公司
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深圳市威雅利發(fā)展有限公司
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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

深圳市創(chuàng)芯聯(lián)盈電子有限公司
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深圳市怡興業(yè)電子科技有限公司
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專注電子元件十年，只做原裝現(xiàn)貨

深圳市米數(shù)科技有限公司
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深圳羚行科技有限公司
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深圳市硅宇電子有限公司
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深圳晨欣芯訊電子科技有限公司
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深圳市芯齊壹科技有限公司展會宣傳
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深圳市杰旭鑫科技有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨，可開專票

深圳市永貝爾半導(dǎo)體有限公司
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深圳市河鋒鑫科技有限公司
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瀚佳科技（深圳）有限公司
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深圳市斌騰達(dá)科技有限公司
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北京睿宸齊芯科技有限公司
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無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司
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昂富（深圳）電子科技有限公司
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軍工單位、研究所指定合供方,一站式解決BOM配單

深圳市天卓偉業(yè)電子有限公司
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上海馳循電子科技有限公司
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原裝現(xiàn)貨,精專配套,正品BOM表報(bào)價(jià)

柒號芯城電子商務(wù)(深圳)有限公
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上海熠富電子科技有限公司
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深圳市星宇佳科技有限公司
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深圳市吉翰電子有限公司
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STB33N65M2 概述

STB33N65M2是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，適用于高頻開關(guān)電源應(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷，使其在高效功率轉(zhuǎn)換中表現(xiàn)出色。其最大漏源電壓(VDS)為650V，適合于高壓應(yīng)用場合如交流-直流電源轉(zhuǎn)換器、工業(yè)逆變器以及不間斷電源系統(tǒng)(UPS)等。該MOSFET能夠在高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，最高結(jié)溫可達(dá)175°C，這使得它特別適合于需要高可靠性的應(yīng)用場景。此外，其快速開關(guān)特性有助于減小電路中的能量損耗，提高整體效率。在設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)注意合理選擇柵極驅(qū)動電阻以優(yōu)化開關(guān)速度，并確保散熱措施得當(dāng)以維持器件的長期穩(wěn)定性。對于反激式轉(zhuǎn)換器等典型應(yīng)用，建議仔細(xì)評估其最大電流能力和熱阻參數(shù)，確保電路的安全運(yùn)行。

STB33N65M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
136現(xiàn)貨
系列
MDmesh? M2
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
24A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）
140 毫歐 @ 12A，10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）
41.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）
1790 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
190W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
D2PAK（TO-263）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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廣東微爾科技有限公司

STB33N65M2推薦型號

>> 更多STB33N65M2相關(guān)熱門型號

STB30NE06LT4
STB30NF10
STB30NF10T4
STB30NF20
STB30NM60N
STB32N65M5
STB32NM50N
SMBJ33A

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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