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STB28N65M2

更新時間:2025-05-22 00:39:07

供應(yīng)商
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STB28N65M2 概述

STB28N65M2是由意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件設(shè)計用于高頻開關(guān)應(yīng)用，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，適用于電源轉(zhuǎn)換器、不間斷電源（UPS）、直流-直流轉(zhuǎn)換器及電機(jī)驅(qū)動等場合。其最大漏極-源極電壓（VDSS）為650V，連續(xù)漏極電流（ID）在25°C時為28A，適合高功率密度的設(shè)計需求。內(nèi)置的柵極電阻（RG）有助于減少外部元件數(shù)量并簡化電路布局。此外，該MOSFET還具備優(yōu)異的雪崩能力和抗短路能力，確保在苛刻工作條件下的可靠性。在實際應(yīng)用中，建議仔細(xì)考慮散熱設(shè)計以充分發(fā)揮其性能，并遵循制造商提供的推薦電路配置進(jìn)行設(shè)計。

STB28N65M2 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
998現(xiàn)貨
系列
MDmesh? M2
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術(shù)
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
650 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
20A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）
180 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1440 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
170W（Tc）
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝
D2PAK（TO-263）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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廣東微爾科技有限公司

STB28N65M2推薦型號

>> 更多STB28N65M2相關(guān)熱門型號

STB200N04
STB200N4F3
STB200NF04
STB200NF04L
STB200NF04LT4
STB200NF04T4
STB20N65M5
STM32F103T8U6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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