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STB25NM60N

更新時間:2025-06-10 22:00:41

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STB25NM60N外觀圖

STB25NM60N

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STB25NM60N 概述

STB25NM60N是由意法半導體生產的一款N溝道功率MOSFET。該器件專為高效能應用設計，具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻操作。其最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）在25℃時可達25A，確保了在高壓高流場景下的穩(wěn)定性能。典型應用場景包括不間斷電源（UPS）、電機驅動、開關電源及各類工業(yè)控制設備中的電源轉換電路。在實際應用中，建議在柵極串聯(lián)一個小電阻來抑制振蕩，并確保良好的散熱措施，如使用足夠大的散熱器或強制風冷，以維持器件在安全工作溫度范圍內運行。對于需要高效率和緊湊設計的電源系統(tǒng)，此款MOSFET是理想選擇。設計電路時應注意遵循制造商推薦的PCB布局指南，以減少寄生電感并優(yōu)化開關性能。

STB25NM60N 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1,000
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
21A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
160 毫歐 @ 10.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
84nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2400pF @ 50V
功率 - 最大
160W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
帶卷 (TR)
其它名稱
497-5003-2

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SMCJ36CA

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