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STB22N60DM6

更新時間:2025-06-18 10:33:38

供應商
產(chǎn)品型號
服務標識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

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TO2633 DPak TO263AB/22+
只做原裝，現(xiàn)貨庫存

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原廠渠道，現(xiàn)貨配單

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MOSFET單管,原裝和國產(chǎn)替代

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原裝現(xiàn)貨，實單來談，配套服務

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STB22N60DM6 概述

STB22N60DM6是意法半導體生產(chǎn)的一款高壓功率MOSFET。該器件采用MDmesh DM6技術，具有低導通電阻和優(yōu)異的開關性能，適用于高效能電源轉(zhuǎn)換應用。其最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達22A。這款MOSFET特別適合用于開關電源、不間斷電源系統(tǒng)（UPS）、太陽能逆變器等需要高效率和高可靠性的場合。在電路設計中，建議合理選擇柵極電阻以優(yōu)化開關速度，并確保良好的散熱設計以維持器件工作溫度在安全范圍內(nèi)。對于高頻應用，注意PCB布局盡量減小寄生電感的影響。

STB22N60DM6 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
MDmesh? M6
包裝
卷帶（TR）
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
15A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
240 毫歐 @ 7.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.75V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
20.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
800 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
130W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK（TO-263）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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廣東微爾科技有限公司

STB22N60DM6推薦型號

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STB200N04
STB200N4F3
STB200NF04
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STB200NF04LT4
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STB20N65M5
SN65HVD3082ED

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