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STB21NM60N-1

更新時間:2025-05-21 11:43:54

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STB21NM60N-1外觀圖

STB21NM60N-1

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK

封裝:TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA

STB21NM60N-1 概述

STB21NM60N-1是由意法半導體（STMicroelectronics）生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導通電阻和高開關速度特性，適用于高壓應用場合。其最大漏源電壓（Vds）可達600V，連續(xù)漏極電流（Id）為21A，在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定性能。此款MOSFET廣泛應用于工業(yè)電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動以及各種開關模式電源（SMPS）中。在這些應用中，它能夠高效地進行能量轉換，減少功耗并提高系統(tǒng)整體效率。使用時應注意適當?shù)纳嵩O計以確保長期可靠性。推薦在PCB布局時考慮足夠的銅面積來幫助散熱，并且選擇合適的柵極驅動電阻值以優(yōu)化開關性能。如果用于高頻電路設計，需特別關注寄生電容的影響，合理布局走線以降低干擾。

STB21NM60N-1 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
50
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
MDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
17A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
220 毫歐 @ 8.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
66nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1900pF @ 50V
功率 - 最大
140W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
供應商設備封裝
I2PAK
包裝
管件
其它名稱
497-5728

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STB200NF04T4
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