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STB20NM60D

更新時間:2025-07-12 14:28:44

供應(yīng)商
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STB20NM60D外觀圖

STB20NM60D

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STB20NM60D 概述

STB20NM60D是意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝，具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度特性，適用于高頻開關(guān)電源應(yīng)用。其最大漏源電壓(Vds)為600V，連續(xù)漏極電流(Id)可達20A，非常適合于高壓、大電流的功率轉(zhuǎn)換電路中。典型應(yīng)用場景包括不間斷電源(UPS)、電機驅(qū)動、逆變器以及各種工業(yè)電源系統(tǒng)。在實際應(yīng)用中，建議在柵極和源極之間添加適當?shù)淖枞菸站W(wǎng)絡(luò)以抑制開關(guān)過程中的電壓尖峰，同時確保散熱設(shè)計良好，避免因過熱導(dǎo)致性能下降或損壞。根據(jù)具體需求選擇合適的驅(qū)動電路也很重要，以充分發(fā)揮其高速開關(guān)特性并減少損耗。

STB20NM60D 規(guī)格參數(shù)

其它有關(guān)文件
STB20NM60D View All Specifications
標準包裝
1
類別
分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
FDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
600V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
20A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
290 毫歐 @ 10A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
52nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1300pF @ 25V
功率 - 最大
192W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商設(shè)備封裝
D2PAK
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-6193-6

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STB20NM60D
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STB200NF04
STB200NF04L
STB200NF04LT4
STB200NF04T4
STM32F103RBT6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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