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STB13N80K5

更新時間:2025-06-08 18:44:20

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STB13N80K5 概述

3N80K5是由意法半導體生產的一款高性能功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh K5技術，具備低導通電阻和高開關速度的特點，適用于高壓應用場合。其最大漏源電壓（Vds）可達800V，連續(xù)漏極電流（Id）為13A，適合在高頻開關電源、太陽能逆變器以及工業(yè)控制設備等場景中使用。在具體應用中，STB13N80K5常被用于PFC電路和LLC諧振轉換器中作為主開關管，以提高效率并減少發(fā)熱。設計時需注意其柵極驅動電壓應保持在合理范圍內（通常為10-20V），以確?？煽抗ぷ鳌４送?，在PCB布局時要盡量減小柵極回路的寄生電感，避免產生振蕩影響電路穩(wěn)定性。

STB13N80K5 規(guī)格參數

現有數量
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系列
SuperMESH5?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
12A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
450 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
29 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
870 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
190W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
D2PAK（TO-263）
封裝/外殼
TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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SS32

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