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STB12NM50FDT4

更新時間:2025-06-12 17:13:34

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STB12NM50FDT4外觀圖

STB12NM50FDT4

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STB12NM50FDT4 概述

STB12NM50FDT4是意法半導體生產(chǎn)的一款N溝道功率MOSFET，適用于高效率開關應用。該器件具有低導通電阻和快速開關特性，使其在電源管理、DC-DC轉換器以及電機驅動等應用中表現(xiàn)出色。其最大漏源電壓（Vds）為500V，適合高壓應用場合。典型應用場景包括工業(yè)自動化設備、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器及各類需要高效功率轉換的系統(tǒng)。在實際應用中，建議在柵極串聯(lián)一個小型電阻以抑制振鈴現(xiàn)象，并在源極與柵極之間并聯(lián)一個齊納二極管進行過壓保護。設計時應確保柵極驅動電壓足夠高以充分開啟MOSFET，同時注意散熱設計，使用適當?shù)纳崞骰蚶鋮s方案來維持器件工作溫度在安全范圍內。對于高頻應用，需優(yōu)化PCB布局以減少寄生電感和電容的影響。

STB12NM50FDT4 規(guī)格參數(shù)

標準包裝
1
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
FDmesh™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
500V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
12A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
400 毫歐 @ 6A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
12nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1000pF @ 25V
功率 - 最大
160W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D2PAK
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-5380-6

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SS34

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