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STB11N65M5

更新時間:2025-05-23 17:43:45

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STB11N65M5外觀圖

STB11N65M5

STMicroelectronics FET - 單

MOSFET N CH 650V 9A D2PAK

封裝:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB

STB11N65M5 概述

STB11N65M5是由意法半導體生產的高壓MOSFET。這款N溝道MOSFET具有低導通電阻和快速開關特性，適用于高頻應用。其最大漏源電壓為650V，在25℃時的最大連續(xù)漏極電流可達11A。它采用TO-220封裝，這種封裝方式便于散熱且易于安裝在電路板上。該芯片廣泛應用于電源轉換設備如開關電源、適配器以及照明系統(tǒng)中的電子鎮(zhèn)流器等場景。在開關電源中，它可以作為功率開關管使用，能夠有效降低功耗并提高效率。在實際應用時，需注意柵極驅動電壓要合適以確?？煽块_啟與關閉MOSFET，并且在布局PCB時盡量減小回路面積來減少電磁干擾。

STB11N65M5 規(guī)格參數

標準包裝
1
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
Mdmesh™ V
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
9A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
480 毫歐 @ 4.5A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
17nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
620pF @ 100V
功率 - 最大
85W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
供應商設備封裝
D²PAK
包裝
Digi-Reel?
其它名稱
497-13144-6

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STB100NF04
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STM32F107VCT6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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