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SSS10N60B

更新時間:2025-05-25 22:25:35

供應(yīng)商
產(chǎn)品型號
服務(wù)標(biāo)識
數(shù)量
廠商
封裝/批號
說明
詢價

深圳市誠研翔科技有限公司
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SSS10N60B 概述

SSS10N60B是一款由SenSiC Semiconductor生產(chǎn)的高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的溝槽技術(shù)，優(yōu)化了導(dǎo)通電阻和開關(guān)特性，適用于高頻開關(guān)電源應(yīng)用。其最大漏源電壓為600V，連續(xù)漏極電流可達10A，在高電壓、大電流條件下表現(xiàn)出色。這款MOSFET常用于開關(guān)電源、適配器、LED驅(qū)動器、電機控制等領(lǐng)域。在實際應(yīng)用中，建議使用適當(dāng)?shù)臇艠O電阻來控制開關(guān)速度，避免過沖和振鈴現(xiàn)象。由于其低柵極電荷特性，能夠?qū)崿F(xiàn)快速開關(guān)轉(zhuǎn)換，有助于提高系統(tǒng)效率并減少電磁干擾。在電路設(shè)計時應(yīng)注意散熱設(shè)計，確保MOSFET工作在安全溫度范圍內(nèi)。推薦使用足夠的銅箔面積或散熱器來改善熱性能。此外，在布局PCB時應(yīng)盡量縮短高頻節(jié)點走線，以降低寄生電感對電路性能的影響。

SSS10N60B 規(guī)格參數(shù)

制造商
Fairchild Semiconductor
產(chǎn)品種類
MOSFET
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
600 V
閘/源擊穿電壓
+/- 30 V
漏極連續(xù)電流
9 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.8 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
+ 150 C
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
TO-220F
封裝
Tube
下降時間
115 ns
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）
10.3 S
最小工作溫度
- 55 C
功率耗散
50 W
上升時間
100 ns
工廠包裝數(shù)量
50
典型關(guān)閉延遲時間
185 ns

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