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SQJ461EP-T1_GE3

更新時間:2025-05-26 01:25:09

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SQJ461EP-T1_GE3 概述

SQJ461EP-T1_GE3是一款由Vishay公司生產(chǎn)的P溝道MOSFET，采用PowerPAK SC-70封裝。該MOSFET專為低電壓應用設計，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓(VDS)為-20V，連續(xù)漏極電流(ID)在25°C下為-2.8A，柵極閾值電壓范圍較寬，方便電路設計時的邏輯電平兼容性。由于其緊湊的封裝尺寸和優(yōu)良的電氣性能，廣泛應用于負載開關、電池保護電路以及便攜式設備中的電源管理模塊。此外，它還適用于需要高效能和空間節(jié)省的消費類電子產(chǎn)品中，如智能手機和平板電腦等。在實際使用中應注意散熱設計以保證器件穩(wěn)定工作。

SQJ461EP-T1_GE3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
0現(xiàn)貨查看交期
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產(chǎn)品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
30A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
16 毫歐 @ 14.4A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
4710 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK? SO-8
封裝/外殼
PowerPAK? SO-8

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廣東微爾科技有限公司

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STM32F103ZCT6

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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