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SQD50P08-25L_GE3

更新時間:2025-05-23 18:53:43

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現(xiàn)貨假一罰萬只做原廠原裝現(xiàn)貨

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深圳市斌騰達科技有限公司
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深圳市亨運電子有限公司
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SQD50P08-25L_GE3 概述

SQD50P08-25L_GE3是由Vishay公司生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-252封裝，具有低導通電阻和高電流處理能力的特點。其最大漏極電流可達50A，在柵極電壓為10V時，典型導通電阻僅為2.8毫歐。這款MOSFET適用于需要高效功率轉換的場合，如直流-直流轉換器、電源管理電路以及電機驅動等應用。在實際使用中，建議確保柵極驅動電壓足夠以減小導通電阻，并且注意散熱設計以保證器件可靠工作。對于電機驅動應用，需考慮適當?shù)谋Ｗo電路來防止過流和過壓損壞MOSFET。

SQD50P08-25L_GE3 規(guī)格參數(shù)

現(xiàn)有數(shù)量
3,259現(xiàn)貨
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
包裝
卷帶（TR）剪切帶（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷帶
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
80 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
50A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
25 毫歐 @ 10.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
137 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
5350 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
136W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
TO-252AA
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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廣東微爾科技有限公司

SQD50P08-25L_GE3推薦型號

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SQD50AB100
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SF14

IC型號索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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