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SQ3418AEEV-T1_GE3

更新時間:2025-05-17 00:10:24

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深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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中杰盛科技有限公司
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深圳市君云達電子科技有限公司
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深圳市德江源電子有限公司
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深圳市佳芯恒業(yè)科技有限公司
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優(yōu)勢國外原裝現貨2周，價優(yōu)

深圳市納睿斯電子科技有限公司
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92700
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原裝現貨，支持BOM配單服務

深圳市得捷芯城科技有限公司
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12000
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SQ3418AEEV-T1_GE3 概述

SQ3418AEEV-T1_GE3是Vishay公司生產的一款N溝道增強型MOSFET，采用小型化的PowerPAK 1212封裝，適用于高密度設計。該MOSFET具有低導通電阻（RDS(on)）特性，在柵極電壓為4.5V時典型值為3.7mΩ，這有助于減少導通損耗，提高系統效率。其最大漏源電壓（VDS）可達30V，適合用于直流-直流轉換器、負載開關和電池保護等應用中。在便攜式設備如智能手機和平板電腦中，它能有效管理電源路徑，確保高效穩(wěn)定的電力傳輸。使用時應注意避免超出最大額定值，并根據具體電路需求合理選擇柵極驅動電壓以優(yōu)化性能。

SQ3418AEEV-T1_GE3 規(guī)格參數

現有數量
0現貨查看交期
系列
TrenchFET?
包裝
卷帶（TR）
產品狀態(tài)
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
40 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)
8A
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
35 毫歐 @ 6A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）
3.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
528 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
5W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
6-TSOP
封裝/外殼
SOT-23-6 細型，TSOT-23-6

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廣東微爾科技有限公司

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