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SPP20N65C3

更新時間:2025-05-18 12:28:39

供應商
產(chǎn)品型號
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數(shù)量
廠商
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說明
詢價

深圳市優(yōu)尚半導體科技有限公司
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全新原裝現(xiàn)貨，長期供應，免費送樣

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深圳市華普冠科電子科技有限公
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SPP20N65C3 概述

SPP20N65C3是由STMicroelectronics生產(chǎn)的高性能N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的MDmesh技術，優(yōu)化了導通電阻和開關性能，在高電壓應用中表現(xiàn)出色。其最大漏源電壓為650V，連續(xù)漏極電流可達20A，適用于高效電源轉換器、適配器、照明系統(tǒng)以及工業(yè)電機驅動等場景。在電源設計中，這款MOSFET常用于PFC（功率因數(shù)校正）電路和諧振轉換器，能夠顯著提升系統(tǒng)效率并降低損耗。由于其低柵極電荷特性，有助于減少開關損耗，特別適合高頻應用。使用時需注意適當?shù)臇艠O驅動設計，確保充分開啟和關閉MOSFET以避免熱失控風險。建議配合合適的散熱器使用，并根據(jù)具體應用調整柵極電阻值以優(yōu)化開關性能。

SPP20N65C3 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SP(P,I,A)20N65C3
產(chǎn)品培訓模塊
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
標準包裝
500
類別
分離式半導體產(chǎn)品
家庭
FET - 單
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
20.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
190 毫歐 @ 13.1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3.9V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
114nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2400pF @ 25V
功率 - 最大
208W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
PG-TO220-3
包裝
管件
其它名稱
SP000014369SPP20N65C3-NDSPP20N65C3INSPP20N65C3XSPP20N65C3XK

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