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SPP20N60C3

更新時間:2025-07-03 23:46:41

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現(xiàn)貨常備庫存京北通宇商城可查價格

深圳市偉科芯電子科技有限公司
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深圳市勤尚偉業(yè)電子有限公司
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SPP20N60C3 概述

SPP20N60C3是由STMicroelectronics生產的N溝道功率MOSFET。該器件采用先進的平面技術制造，具有低導通電阻和快速開關特性。其最大漏源電壓（Vds）為600V，連續(xù)漏極電流（Id）可達20A，適用于高頻開關電源、不間斷電源（UPS）、電機驅動器和其他需要高效功率轉換的應用場景。在電路設計中，應確保柵極驅動電路能夠提供足夠的電壓（典型值為10V）以保證MOSFET完全導通，降低導通損耗。同時，注意散熱設計，使用適當?shù)纳崞骰蚶鋮s方案，以維持器件工作溫度在安全范圍內。此型號適合用于對效率和可靠性有較高要求的工業(yè)級應用。

SPP20N60C3 規(guī)格參數(shù)

數(shù)據(jù)列表
SP(P,I,A)20N60C3
產品培訓模塊
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
標準包裝
500
類別
分離式半導體產品
家庭
FET - 單
系列
CoolMOS™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
標準型
漏極至源極電壓(Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C
20.7A
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
190 毫歐 @ 13.1A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
3.9V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs
114nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
2400pF @ 25V
功率 - 最大
208W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3
供應商設備封裝
PG-TO220-3
包裝
管件
其它名稱
SP000013527SPP20N60C3BKSA1SPP20N60C3HKSA1SPP20N60C3INSPP20N60C3XSPP20N60C3XINSPP20N60C3XIN-NDSPP20N60C3XK

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